Nazwa przedmiotu:
Fizyka
Koordynator przedmiotu:
prof dr hab. Rajmund Bacewicz/prof. nzw. dr hab. Małgorzata Igalson
Status przedmiotu:
Obowiązkowy
Poziom kształcenia:
Studia II stopnia
Program:
Mechatronika
Grupa przedmiotów:
Obowiązkowe
Kod przedmiotu:
FIZ
Semestr nominalny:
2 / rok ak. 2020/2021
Liczba punktów ECTS:
4
Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów kształcenia:
1) Liczba godzin bezpośrednich 49, w tym: a) wykład - 30 b) laboratorium - 15 c) konsultacje - 2 d) kolokwia - 2 2) Praca własna studenta 60, w tym: a) przygotowanie do kolokwiów zaliczeniowych - 40 b) opracowanie sprawozdań laboratoryjnych - 20 suma: 109 h (4 ECTS)
Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
1) Liczba godzin bezpośrednich 49, w tym: a) wykład - 30 b) laboratorium - 15 c) konsultacje - 2 d) kolokwia - 2 suma: 49 h (2 ECTS)
Język prowadzenia zajęć:
polski
Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
O charakterze praktycznym: a) laboratorium - 15 b) opracowanie sprawozdań laboratoryjnych - 20 suma: 25 h (1 ECTS)
Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
  • Wykład45h
  • Ćwiczenia0h
  • Laboratorium0h
  • Projekt0h
  • Lekcje komputerowe0h
Wymagania wstępne:
brak
Limit liczby studentów:
bez limitu
Cel przedmiotu:
Przekazanie wiedzy na temat podstawowych praw rządzących mikroświatem i ich związku z zastosowaniami w obszarze najnowszych technologii. Głębsze zrozumienie podstaw działania rozmaitych urządzeń półprzewodnikowych, które inżynier wykorzystuje w codziennej praktyce, ich możliwości i ograniczeń.
Treści kształcenia:
Podstawy fizyki współczesnej 1. Dualizm korpuskularno-falowy promieniowania i materii 2. Podstawy mechaniki kwantowej 3. Fermiony i bozony 4. Nadprzewodnictwo, 5. Podstawy fizyki jądra atomowego 6. Oddziaływania i cząstki elementarne 7. Ewolucja Wszechświata Fizyka urządzeń półprzewodnikowych 1.Struktura pasmowa półprzewodników 2. Swobodne nośniki, dziury i elektrony, domieszkowanie 3. Złącze półprzewodnikowe, zastosowania (tranzystor złączowy, MOSFET i JFET, dioda tunelowa, dioda Zenera) 4. Generacja i rekombinacja elektronów i dziur, zastosowania (fotorezystory, detektory podczerwieni, ogniwa słoneczne, diody świecące (LED) i lasery półprzewodnikowe) 5. Ograniczenia obecnych technologii, nowe pomysły
Metody oceny:
kolokwia pisemne, zaliczenie laboratorium II
Egzamin:
nie
Literatura:
D. Halliday, R. Resnick „Podstawy Fizyki” t. V H. Haken, H. Wolf „ Atomy i kwanty” J. Hennel „Podstawy elektroniki półprzewodnikowej” K. Sierański „Półprzewodniki i struktury półprzewodnikowe”
Witryna www przedmiotu:
www.if.pw.edu.pl/~bacewicz, www.if.pw.edu.pl/~igalson
Uwagi:

Efekty przedmiotowe

Profil ogólnoakademicki - wiedza

Efekt FIZ_W01
znajomość fizyki współczesnej, w szczególności w odniesieniu do mikroświata
Weryfikacja: kolokwium zaliczeniowe
Efekt FIZ_W02
posiada głębsze zrozumienia zasad działania współczesnych przyrządów opto-elektronicznych
Weryfikacja: kolokwium pisemne

Profil ogólnoakademicki - umiejętności

Efekt FIZ_U01
umiejetnośc doboru i zastosowania zaawansowanych urządzeń optoelektronicznych w projektach inżynierskich
Weryfikacja: zaliczenie laboratorium

Profil ogólnoakademicki - kompetencje społeczne

Efekt FIZ_K01
dostrzeganie potrzeby ciągłej aktualizacji swojej wiedzy
Weryfikacja: Ocena zaangażowania w czasie zajęć praktycznych