Drukuj Eksport do pliku (MS Word)
Nazwa przedmiotu:
Modelowanie ogniw słonecznych
Koordynator przedmiotu:
dr inż. Paweł Zabierowski
Status przedmiotu:
Obowiązkowy
Poziom kształcenia:
Studia II stopnia
Program:
Fizyka Techniczna
Grupa przedmiotów:
Obieralne
Kod przedmiotu:
Semestr nominalny:
2 / rok ak. 2011/2012
Liczba punktów ECTS:
2
Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
Język prowadzenia zajęć:
polski
Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
  • Wykład30h
  • Ćwiczenia0h
  • Laboratorium0h
  • Projekt0h
  • Lekcje komputerowe0h
Wymagania wstępne:
Fizyka półprzewodników, Fotowoltaika
Limit liczby studentów:
Cel przedmiotu:
Treści kształcenia:
Modelowanie działania ogniw słonecznych jest skutecznym narzędziem pozwalającym na zrozumienie i pokonywanie ograniczeń ich wydajności. Celem wykładu jest zapoznanie studentów ze sposobami modelowania i interpretacji podstawowych charakterystyk elektrooptycznych ogniw słonecznych. W pierwszej części wykładu (7 tyg.) omówione zostaną metody symulacji transportu nośników w złączach półprzewodnikowych z uwzględnieniem zjawisk generacji i rekombinacji z udziałem defektów objętościowych i powierzchniowych dla najważniejszych typów ogniw słonecznych (krzem krystaliczny c-Si, krzem amorficzny a-Si, ogniwa cienkowarstwowe CIGS, struktury tandemowe, heterozłącza a-si/c-Si). W drugiej części wykładu przewidziane jest laboratorium komputerowe (8-tyg.). Ćwiczenia praktyczne będą polegały na samodzielnym przeprowadzeniu symulacji i interpretacji charakterystyk elektrycznych wybranych struktur fotowoltaicznych na podstawie pierwszej części wykładu oraz literatury. Przewidywane tematy ćwiczeń laboratoryjnych: 1. Transport dyfuzyjny i emisyjny (2 tyg) 2. Rekombinacja SRH w objętości i na międzypowierzchni (2 tyg) 3. Wydajność kwantowa 4. Modelowanie transportu w złączach c-Si 5. Modelowanie transportu w złączach a-Si 6. Modelowanie transportu w ogniwach cienkowarstwowych
Metody oceny:
Wykonanie zestawu symulacji i prezentacja
Egzamin:
Literatura:
1. Physics of Solar Cells: Photons in, Electrons Out (Properties of Semiconductor Materials), Jenny Nelson 2. Practical Photovoltaics: Electricity from Solar Cells, Richard J. Komp 3. Przetwarzanie energii słonecznej. Fotowoltaika, Jarzębski
Witryna www przedmiotu:
Uwagi:

Efekty uczenia się