- Nazwa przedmiotu:
- Wytwarzanie struktur warstwowych I
- Koordynator przedmiotu:
- dr hab. inż. Jerzy Bieliński, prof. PW prof. dr hab. inż. Janusz Płocharski
- Status przedmiotu:
- Obowiązkowy
- Poziom kształcenia:
- Studia II stopnia
- Program:
- Technologia Chemiczna
- Grupa przedmiotów:
- Funkcjonalne materiały polimerowe, elektroaktywne i wysokoenergetyczne
- Kod przedmiotu:
- brak
- Semestr nominalny:
- 2 / rok ak. 2010/2011
- Liczba punktów ECTS:
- 1
- Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
- Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
- Język prowadzenia zajęć:
- polski
- Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
- Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
-
- Wykład15h
- Ćwiczenia0h
- Laboratorium0h
- Projekt0h
- Lekcje komputerowe0h
- Wymagania wstępne:
- Zaliczony wykład z Materiałoznawstwa
- Limit liczby studentów:
- Cel przedmiotu:
- Celem przedmiotu jest zapoznanie studentów z podstawami technologii wytwarzania struktur warstwowych w procesach osadzania i trawienia z reakcji chemicznych i elektrochemicznych w roztworach wodnych i niewodnych. Analiza wybranych technologii z różnych gałęzi przemysłu.
- Treści kształcenia:
- Celem przedmiotu jest zapoznanie studentów z podstawami technologii wytwarzania struktur warstwowych w procesach osadzania i trawienia z reakcji chemicznych i elektrochemicznych w roztworach wodnych i niewodnych. Analiza wybranych technologii z różnych gałęzi przemysłu.
Wykład obejmuje kolejne zagadnienia:
1. Procesy przygotowania powierzchni podłoży do wytwarzania struktur warstwowych z wykorzystaniem próżni, plazmy oraz reakcji substratów z fazy gazowej; zasady doboru podłoża, oczyszczanie i odtłuszczanie, trawienie i polerowanie.
2. Osadzanie próżniowe i plazmowe warstw metali, stopów i związków chemicznych.
3. Osadzanie chemiczne z fazy gazowej.
4. Metody trawienia materiałów warstwowych z zastosowaniem plazmy lub reakcji w fazie gazowej.
5. Inne metody modyfikacji powierzchni materiałów z wykorzystaniem plazmy lub reakcji w fazie gazowej (implantacja jonowa, proces dyfuzji w półprzewodnikach i in.).
6. Przegląd wybranych właściwości fizykochemicznych otrzymywanych warstw i układów warstwowych.
7. Wybrane przykłady współczesnych technologii przemysłowych (elektronika, motoryzacja, sprzęt użytku domowego).
- Metody oceny:
- Zaliczenie pisemne
- Egzamin:
- Literatura:
- 1. T. Burakowski, E. Roliński, T. Wierzchoń, Inżynieria powierzchni metali, Wyd. PW, Warszawa 1992; WNT, Warszawa 1995.
2. A.J. Michalski, Fizykochemiczne podstawy otrzymywania powłok z fazy gazowej, Ofic. Wyd. PW, Warszawa 2000.
3. R.F. Bunshah, Handbook of Deposition Technologies for Films and Coatings: Science, Technology and Applications, Noyes Publ., Park Ridge, 1994.
4. A. Eishabini-Riad, F.D. Barlow, Thin Film Technology Handbook, McGraw Hill 1998.
- Witryna www przedmiotu:
- Uwagi:
Efekty uczenia się