Nazwa przedmiotu:
Układy elektroniczne w systemach sterowania i regulacji
Koordynator przedmiotu:
Dr inż. Paweł Roszczyk
Status przedmiotu:
Obowiązkowy
Poziom kształcenia:
Studia I stopnia
Program:
Mechatronika
Grupa przedmiotów:
Obowiązkowe
Kod przedmiotu:
233
Semestr nominalny:
4 / rok ak. 2013/2014
Liczba punktów ECTS:
3
Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
Wykład – godziny kontaktowe (zajęcia): 30 praca w domu (studia literaturowe): 10 przygotowanie do sprawdzianu: 10 Laboratorium – godziny kontaktowe (zajęcia):: 15 przygotowanie do zajęć laboratoryjnych: 6 sprawozdania: 6
Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
1,8
Język prowadzenia zajęć:
polski
Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
1
Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
  • Wykład450h
  • Ćwiczenia0h
  • Laboratorium225h
  • Projekt0h
  • Lekcje komputerowe0h
Wymagania wstępne:
Wiedza z zakresu elektrotechniki i elektroniki
Limit liczby studentów:
zgodnie z zarządzeniem Rektora
Cel przedmiotu:
Poznanie podstawowych elementów elektronicznych oraz ich zastosowania w systemach sterowania i regulacji. Umiejętność analizowania układów elektronicznych. Świadomość wymagań i ograniczeń w działaniach inżynierskich.
Treści kształcenia:
Wykład: Właściwości i zastosowanie półprzewodników w budowie elementów elektronicznych. Polaryzacja złącza PN. Wykorzystanie złącza PN do budowy diody prostowniczej. Stabilizator napięcia z wykorzystaniem diody Zenera. Zastosowanie diody pojemnościowej, jako kondensatora o zmiennej pojemności przestrajanego napięciem. Dioda tunelowa. Zastosowania warystora w układach przciwprzepięciowych. Budowa i zasada działania tranzystora bipolarnego. Układy polaryzacji tranzystora bipolarnego. Wyznaczanie punktu pracy wzmacniacza tranzystorowego. Klasy pracy wzmacniacza. Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Wtórnik emiterowy. Układ Darlingtona. Wzmacniacz różnicowy. Źródło prądowe. Budowa i zasada działania tranzystora polowego FET. Wzmacniacz z tranzystorem FET w układzie wspólnego źródła. Wtórnik źródłowy. Budowa i zasada działania tranzystora polowego z izolowaną bramką MOSFET. Układ polaryzacji tranzystora MOSFET oraz wyznaczanie punktu pracy. Realizacja operacji matematycznych takich jak: sumowanie, odejmowanie, całkowanie, różniczkowanie z wykorzystaniem wzmacniacza operacyjnego. Komparator oraz przerzutnik Schmitt’a. Sprzężenie zwrotne, rodzaje i zastosowanie. Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na pasmo przenoszenia wzmacniacza. Przerzutniki tranzystorowe: astabilny, monostabilny i bistabilny. Budowa i zasada działania tyrystora. Prostownik sterowany z wykorzystaniem tyrystora. Bramki logiczne. Realizacja podstawowych funkcji logicznych poprzez bramki NAND. Prawa algebry Boole’a. Minimalizacja funkcji logicznych. Kody liczbowe: dziesiętny, binarny naturalny, Gray’a. Konwersja liczb z kodu dziesiętnego na binarny i odwrotnie. Zamiana kodu binarnego naturalnego na kod Gray’a i odwrotnie. Przerzutnik RS. Przerzutnik JK. Dzielnik częstotliwości przez 2. Licznik 4-bitowy. Laboratorium: 1. Tranzystor FET. 2. Wzmacniacze tranzystorowe. 3. Przerzutniki tranzystorowe. 4. Bramki cyfrowe. 5. Licznik 4-bitowy, bramki, przerzutniki. 6. Wzmacniacz operacyjny, komparator, przerzutnik Schmitt’a.
Metody oceny:
Dwa sprawdziany pisemne, w połowie i na koniec semestru
Egzamin:
tak
Literatura:
Układy elektroniczne - Baranowski J., WNT, 2006 Elementy układów elektronicznych - Chwaleba A., 1985 Elementy i układy elektroniczne - Kuta S., 2000 Podstawy Elektroniki - Wawrzynski W., OWPW, 1996
Witryna www przedmiotu:
brak
Uwagi:
brak

Efekty uczenia się