- Nazwa przedmiotu:
- Krystalizacja powłok z fazy gazowej/ Crystallisation of Coatings from Gaseous Phase
- Koordynator przedmiotu:
- prof. dr hab. inż. Andrzej Michalski
- Status przedmiotu:
- Fakultatywny dowolnego wyboru
- Poziom kształcenia:
- Studia I stopnia
- Program:
- Inżynieria Materiałowa
- Grupa przedmiotów:
- Obieralne
- Kod przedmiotu:
- KPZFG
- Semestr nominalny:
- 5 / rok ak. 2016/2017
- Liczba punktów ECTS:
- 1
- Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
- Wykład 15 godzin, prezentacje przygotowane przez studentów 5 godz., przygotowanie do kolokwium zaliczeniowego 5 godz. Razem 25 godzin = 1 punkt ECTS.
- Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
- Wykład 15 godzin, prezentacje przygotowane przez studentów 5 godzin. Razem 20 godzin = 0,7 punktu ECTS.
- Język prowadzenia zajęć:
- polski
- Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
- -
- Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
-
- Wykład15h
- Ćwiczenia0h
- Laboratorium0h
- Projekt0h
- Lekcje komputerowe0h
- Wymagania wstępne:
- brak
- Limit liczby studentów:
- bez limitu
- Cel przedmiotu:
- Podstawowy wiedzy na temat zarodkowania i krystalizacji powłok z fazy gazowej pod obniżonym ciśnieniem oraz wpływu warunków krystalizacji na właściwości i mikrostrukturę powłok.
- Treści kształcenia:
- Podstawowe zjawiska w procesie krystalizacji powłok z fazy gazowej. Termodynamiczna teoria zarodkowania, statystyczno-atomowa teoria zarodkowania. Wzrost powłok z fazy gazowej, mikrostruktura i ich właściwości. Krystalizacja warstw epitaksjalnych, mechanizm wzrostu epitaksjalnego. Podstawowe zjawiska w procesie chemicznego osadzania powłok z fazy gazowej: reakcje chemiczne, termodynamika procesów chemicznego osadzania z fazy gazowej. Plazma, oddziaływanie jonów z podłożem, zarodkowanie na jonach, reakcje w plazmie. Wzrost powłok z fazy gazowej zjonizowanej, mikrostruktura i ich właściwości.
- Metody oceny:
- Kolokwium zaliczeniowe + zaliczona prezentacja.
- Egzamin:
- nie
- Literatura:
- 1. Andrzej J. Michalski „Fizykochemiczne podstawy otrzymywania powłok z fazy gazowej” Oficyna Wyd. PW Warszawa 2000.
2. Józef Żmija „Podstawy teorii wzrostu monokryształów” PWN Warszawa 1987.
- Witryna www przedmiotu:
- brak
- Uwagi:
Efekty uczenia się
Profil ogólnoakademicki - wiedza
- Efekt KFG_W1
- Ma wiedzę dotyczącą mechanizmu wzrostu powłok z fazy gazowej
Weryfikacja: Kolokwium zaliczeniowe
Powiązane efekty kierunkowe:
IM_W10
Powiązane efekty obszarowe:
T1A_W04
- Efekt KFG_W2
- Ma wiedzę dotyczącą wpływu warunków procesu krystalizacji na mikrostrukturę i właściwości powłok
Weryfikacja: Kolokwium zaliczeniowe
Powiązane efekty kierunkowe:
IM_W10
Powiązane efekty obszarowe:
T1A_W04
Profil ogólnoakademicki - umiejętności
- Efekt KFG_U1
- Potrafi dokonać wyboru rodzaju procesu dla otrzymania powłok o określonych właściwościach. Potrafi przygotować i przedstawić w prezentację ustną, dotyczącą szczegółowych zagadnień z procesów otrzymywania powłok o określonych właściwościach. Na podstawie posiadanej wiedzy i analizy fachowej literatury student rozwija poprzez pracę własną swoje umiejętności i wiedzę z zakresu zagadnień związanych z krystalizacją powłok z fazy gazowej. Przy opracowaniu prezentacji korzysta z technik informacyjno-komunikacyjnych.
Weryfikacja: Kolokwium zaliczeniowe, ocena prezentacji
Powiązane efekty kierunkowe:
IM_U01, IM_U04, IM_U05, IM_U07, IM_U13
Powiązane efekty obszarowe:
T1A_U01, T1A_U04, T1A_U05, T1A_U07, T1A_U13
Profil ogólnoakademicki - kompetencje społeczne
- Efekt KFG_K1
- Prawidłowo identyfikuje i rozstrzyga dylematy związane z wykonywaniem przyszłego zawodu. Potrafi odpowiednio określić priorytety służące realizacji określonego przez siebie zadania
Weryfikacja: dyskusja na wykładzie, przedstawienie prezentacji
Powiązane efekty kierunkowe:
IM_K04, IM_K05
Powiązane efekty obszarowe:
T1A_K04, T1A_K05