Drukuj Eksport do pliku (MS Word)
Nazwa przedmiotu:
Technologia wyrobów elektronicznych I
Koordynator przedmiotu:
Dr inż. Ryszard Jezior, docent
Status przedmiotu:
Obowiązkowy
Poziom kształcenia:
Studia I stopnia
Program:
Mechatronika
Grupa przedmiotów:
Obowiązkowe
Kod przedmiotu:
TWE I
Semestr nominalny:
6 / rok ak. 2017/2018
Liczba punktów ECTS:
4
Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
Język prowadzenia zajęć:
polski
Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
  • Wykład30h
  • Ćwiczenia0h
  • Laboratorium15h
  • Projekt0h
  • Lekcje komputerowe0h
Wymagania wstępne:
Znajomość materiałoznawstwa, podstaw technik wytwarzania.
Limit liczby studentów:
Cel przedmiotu:
Znajomość rozwiązań konstrukcyjnych i procesów technologicznych elementów czynnych i biernych oraz podzespołów elektronicznych.
Treści kształcenia:
W. : Wprowadzenie. Podstawy technologii elementów półprzewodnikowych. Technologia cienko- i grubowarstwowych, hybrydowych układów scalonych. Technologia elementów biernych. Wytwarzanie obwodów drukowanych. Montaż zespołów elektronicznych i komputerowych. L. : Zasady wytwarzania cienkowarstwowych układów hybrydowych. Analiza procesu lutowania. Zasady obróbki fotochemicznej obwodów drukowanych. Zasady wiercenia otworów w płytach obwodów drukowanych. Zasady montażu powierzchniowego obwodów drukowanych. Zasady wykonywania mikropołączeń drutowych metodą ultrakompresji. Zasady zautomatyzowanego montażu.
Metody oceny:
Egzamin, kolokwia sprawdzające na laboratorium, sprawozdanie
Egzamin:
Literatura:
1. Praca zbiorowa: Procesy technologiczne w elektronice półprzewodnikowej, WNT, Warszawa 1987 2. Witold Rosiński: Wszystko o krzemie, Wyd. CEMAT, 1987 3. Ryszard Kisiel: Podstawy technologii dla elektroników. Poradnik praktyczny, Wyd. BTC, Warszawa 2005
Witryna www przedmiotu:
Uwagi:

Efekty uczenia się

Profil ogólnoakademicki - wiedza

Efekt TWE I_W01
Posiada wiedzę w zakresie podstawowych procesów stosowanych w wytwarzaniu elementów półprzewodnikowych: monokrystalizacji, obróbki mechanicznej monokryształów, epitaksji, wytwarzania warstw dielektrycznych, fotolitografii, dyfuzji, implantowania jonów, wytwarzania metalizacji, montażu oraz hermetyzacji. Posiada także wiedzę z zakresu wytwarzania układów scalonych, hybrydowych cienko- i grubowarstwowych, w szczególności druku sitowego i obróbki termicznej nadrukowanych warstw. Posiada znajomość procesów wytwórczych elementów biernych: rezystorów, kondensatorów i elementów indukcyjnych.
Weryfikacja: Egzamin
Powiązane efekty kierunkowe: K_W02, K_W07, K_W16, K_W17
Powiązane efekty obszarowe: T1A_W01, T1A_W03, T1A_W04, T1A_W03, T1A_W04, T1A_W05

Profil ogólnoakademicki - umiejętności

Efekt TWE I_U01
Potrafi zaprojektować określony proces technologiczny elektronicznego elementu czynnego lub biernego, dobrać parametry technologiczne poszczególnych operacji,dobrać materiały lub półfabrykaty niezbędne do realizacji tego procesu.
Weryfikacja: Egzamin i zaliczenie laboratorium
Powiązane efekty kierunkowe: K_U01, K_U02, K_U03, K_U05, K_U07, K_U11, K_U20
Powiązane efekty obszarowe: T1A_U01, T1A_U02, T1A_U07, T1A_U04, T1A_U05, T1A_U09, T1A_U02, T1A_U08, T1A_U09, T1A_U16

Profil ogólnoakademicki - kompetencje społeczne

Efekt TWE I_K01
Potrafi pracować w zespole podczas planowania i realizacji zadania inżynierskiego.
Weryfikacja: Zaliczenie laboratorium
Powiązane efekty kierunkowe: K_K01, K_K03, K_K04, K_K05
Powiązane efekty obszarowe: T1A_K01, T1A_K02, T1A_K07, T1A_K03, T1A_K04, T1A_K05, T1A_K06