- Nazwa przedmiotu:
- Mikro- i nanoukłady elektroniczne
- Koordynator przedmiotu:
- Dr inż. Grzegorz Wróblewski
- Status przedmiotu:
- Obowiązkowy
- Poziom kształcenia:
- Studia I stopnia
- Program:
- Mechatronika
- Grupa przedmiotów:
- Obowiązkowe
- Kod przedmiotu:
- 1140-MTMIN-ISP-6003
- Semestr nominalny:
- 6 / rok ak. 2019/2020
- Liczba punktów ECTS:
- 4
- Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
- 1) Liczba godzin bezpośrednich – 50 godz. w tym:
Wykład – 30 godz.
Ćwiczenia laboratoryjne – 15 godz.
Konsultacje – 3 godz.
Egzamin – 2godz.
2) Praca własna studenta: 50 godz.
studia literaturowe – 20 godz.
opracowanie sprawozdań – 15 godz.
przygotowanie się do egzaminu: 15 godz.
RAZEM=100 godz.
- Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
- 2 punkty ECTS - Liczba godzin bezpośrednich – 50 godz.
w tym:
Wykład – 30 godz.
Ćwiczenia laboratoryjne – 15 godz.
Konsultacje – 3 god
- Język prowadzenia zajęć:
- polski
- Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
- 1 punkt ECTS – 30 godz., w tym:
ćwiczenia laboratoryjne – 15 godz
opracowanie sprawozdań – 15 godz.
- Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
-
- Wykład30h
- Ćwiczenia0h
- Laboratorium15h
- Projekt0h
- Lekcje komputerowe0h
- Wymagania wstępne:
- Znajomość materiałoznawstwa, podstaw technik
wytwarzania, podstaw elektroniki
- Limit liczby studentów:
- Cel przedmiotu:
- Znajomość rozwiązań konstrukcyjnych i procesów technologicznych elementów czynnych i biernych oraz podzespołów elektronicznych.
- Treści kształcenia:
- W. : Wprowadzenie. Podstawy technologii elementów
półprzewodnikowych: wytwarzania krzemu mono- i
polikrystalicznego a także amorficznego. Obróbka
kryształów krzemowych. Wytwarzania struktur
elektronicznych układów scalonych: epitaksja,
domieszkowanie, implantacja jonów, warstwy
dielektryczne, metalizacja, fotolitografia, NIL,
hermetyzacja. Technologia cienko- i grubowarstwowych,
hybrydowych układów scalonych. L. : Wytwarzanie
cienkowarstwowych i grubowarstwowych układów
hybrydowych. Technologie układów półprzewodnikowych:
fotolitografia, NIL, epitaksja. Hermetyzacja układów
elektronicznych.
- Metody oceny:
- Egzamin, kolokwia sprawdzające na laboratorium, sprawozdanie
- Egzamin:
- tak
- Literatura:
- 1. Praca zbiorowa: Procesy technologiczne w elektronice
półprzewodnikowej, WNT, Warszawa 1987
2. Witold Rosiński: Wszystko o krzemie, Wyd. CEMAT, 1987
3. Ryszard Kisiel: Podstawy technologii dla elektroników.
Poradnik praktyczny, Wyd. BTC, Warszawa 2005
- Witryna www przedmiotu:
- Uwagi:
Efekty uczenia się
Profil ogólnoakademicki - wiedza
- Charakterystyka MNE_W01
- Posiada wiedzę w zakresie podstawowych procesów
stosowanych w wytwarzaniu elementów
półprzewodnikowych:
wytwarzanie kryształów półprzewodnikowych, obróbka
mechaniczna monokryształów, epitaksja, wytwarzanie
warstw dielektrycznych, fotolitografia, dyfuzja, implantacja
jonów, wytwarzanie metalizacji, montaż oraz hermetyzacji.
Posiada także wiedzę z zakresu wytwarzania układów
scalonych, hybrydowych cienko- i grubowarstwowych, w
szczególności druku sitowego i obróbki termicznej
nadrukowanych warstw. Posiada znajomość procesów
wytwórczych elementów czynnych i biernych, w tym
układów scalonych.
Weryfikacja: Egzamin
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
K_W02, K_W07, K_W16, K_W17
Powiązane charakterystyki obszarowe:
P6U_W, I.P6S_WG.o
Profil ogólnoakademicki - umiejętności
- Charakterystyka MNE_U01
- Potrafi zaprojektować określony proces technologiczny
elektronicznego elementu czynnego lub biernego, dobrać
parametry technologiczne poszczególnych operacji, dobrać
materiały lub półfabrykaty niezbędne do realizacji tego
procesu.
Weryfikacja: .
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
K_U02, K_U03, K_U05, K_U07, K_U11, K_U20, K_U01
Powiązane charakterystyki obszarowe:
I.P6S_UK, P6U_U, I.P6S_UO, I.P6S_UU, I.P6S_UW.o, III.P6S_UW.o, I.P7S_UW.o
Profil ogólnoakademicki - kompetencje społeczne
- Charakterystyka MNE_K01
- Potrafi pracować w zespole podczas planowania i realizacji
zadania inżynierskiego.
Weryfikacja: Zaliczenie laboratorium
Powiązane charakterystyki kierunkowe:
K_K01, K_K03, K_K04, K_K05
Powiązane charakterystyki obszarowe:
P6U_K, I.P6S_KK, I.P6S_KO, I.P6S_KR