Drukuj Eksport do pliku (MS Word)
Nazwa przedmiotu:
Mikro- i nanoukłady elektroniczne
Koordynator przedmiotu:
Dr inż. Grzegorz Wróblewski
Status przedmiotu:
Obowiązkowy
Poziom kształcenia:
Studia I stopnia
Program:
Mechatronika
Grupa przedmiotów:
Obowiązkowe
Kod przedmiotu:
1140-MTMIN-ISP-6003
Semestr nominalny:
6 / rok ak. 2020/2021
Liczba punktów ECTS:
4
Liczba godzin pracy studenta związanych z osiągnięciem efektów uczenia się:
1) Liczba godzin bezpośrednich – 50 godz. w tym:  Wykład – 30 godz.  Projektowanie – 15 godz.  Konsultacje – 3 godz.  Egzamin – 2godz. 2) Praca własna studenta: 50 godz.  studia literaturowe – 20 godz.  opracowanie sprawozdań – 15 godz.  przygotowanie się do egzaminu: 15 godz. RAZEM=100 godz.
Liczba punktów ECTS na zajęciach wymagających bezpośredniego udziału nauczycieli akademickich:
2 punkty ECTS - Liczba godzin bezpośrednich – 50 godz. w tym:  Wykład – 30 godz.  Projektowanie – 15 godz.  Konsultacje – 3 godz
Język prowadzenia zajęć:
polski
Liczba punktów ECTS, którą student uzyskuje w ramach zajęć o charakterze praktycznym:
1 punkt ECTS – 30 godz., w tym:  Projektowanie – 15 godz  opracowanie raportów – 15 godz.
Formy zajęć i ich wymiar w semestrze:
  • Wykład30h
  • Ćwiczenia0h
  • Laboratorium0h
  • Projekt15h
  • Lekcje komputerowe0h
Wymagania wstępne:
Znajomość materiałoznawstwa, podstaw technik wytwarzania, podstaw elektroniki
Limit liczby studentów:
Cel przedmiotu:
Znajomość rozwiązań konstrukcyjnych i procesów technologicznych elementów czynnych i biernych oraz podzespołów elektronicznych.
Treści kształcenia:
W. : Wprowadzenie. Podstawy technologii elementów półprzewodnikowych: wytwarzania krzemu mono- i polikrystalicznego a także amorficznego. Obróbka kryształów krzemowych. Wytwarzania struktur elektronicznych układów scalonych: epitaksja, domieszkowanie, implantacja jonów, warstwy dielektryczne, metalizacja, fotolitografia, NIL, hermetyzacja. Technologia cienko- i grubowarstwowych, hybrydowych układów scalonych. P. : Wytwarzanie cienkowarstwowych i grubowarstwowych układów hybrydowych. Technologie układów półprzewodnikowych: fotolitografia, NIL, epitaksja. Hermetyzacja układów elektronicznych.
Metody oceny:
Egzamin, Oceny z raportów
Egzamin:
tak
Literatura:
1. Praca zbiorowa: Procesy technologiczne w elektronice półprzewodnikowej, WNT, Warszawa 1987 2. Witold Rosiński: Wszystko o krzemie, Wyd. CEMAT, 1987 3. Ryszard Kisiel: Podstawy technologii dla elektroników. Poradnik praktyczny, Wyd. BTC, Warszawa 2005
Witryna www przedmiotu:
Uwagi:

Efekty uczenia się

Profil ogólnoakademicki - wiedza

Charakterystyka MNE_W01
Posiada wiedzę w zakresie podstawowych procesów stosowanych w wytwarzaniu elementów półprzewodnikowych: wytwarzanie kryształów półprzewodnikowych, obróbka mechaniczna monokryształów, epitaksja, wytwarzanie warstw dielektrycznych, fotolitografia, dyfuzja, implantacja jonów, wytwarzanie metalizacji, montaż oraz hermetyzacji. Posiada także wiedzę z zakresu wytwarzania układów scalonych, hybrydowych cienko- i grubowarstwowych, w szczególności druku sitowego i obróbki termicznej nadrukowanych warstw. Posiada znajomość procesów wytwórczych elementów czynnych i biernych, w tym układów scalonych.
Weryfikacja: Egzamin
Powiązane charakterystyki kierunkowe: K_W02, K_W07, K_W16, K_W17
Powiązane charakterystyki obszarowe: P6U_W, I.P6S_WG.o

Profil ogólnoakademicki - umiejętności

Charakterystyka MNE_U01
Potrafi zaprojektować określony proces technologiczny elektronicznego elementu czynnego lub biernego, dobrać parametry technologiczne poszczególnych operacji, dobrać materiały lub półfabrykaty niezbędne do realizacji tego procesu.
Weryfikacja: Egzamin i zaliczenie laboratorium
Powiązane charakterystyki kierunkowe: K_U05, K_U07, K_U11, K_U20, K_U01, K_U02, K_U03
Powiązane charakterystyki obszarowe: I.P6S_UO, I.P6S_UU, P6U_U, I.P6S_UW.o, III.P6S_UW.o, I.P6S_UK, I.P7S_UW.o

Profil ogólnoakademicki - kompetencje społeczne

Charakterystyka MNE_K01
Potrafi pracować w zespole podczas planowania i realizacji zadania inżynierskiego.
Weryfikacja: Zaliczenie laboratorium
Powiązane charakterystyki kierunkowe: K_K01, K_K03, K_K04, K_K05
Powiązane charakterystyki obszarowe: P6U_K, I.P6S_KK, I.P6S_KO, I.P6S_KR